TI - Elektronik

Halbleiter, Transistoren

Bei IG-FETs ist die Durchschlagsspannung (Gate-Kanal) zwar höher als bei einer Sperrschicht (J-FET) kann aber schnell überschritten wernden.
Durch was?

Die Durchschlagsspannung (Gate-Kanal) ist zwar höher als bei einer Sperrschicht (J-FET), kann aber durch statische Aufladung (Isolation) schnell überschritten werden.

Diskussion