SA Klausur

Funktion deep reactive ion etching + 2 Vorteile

 
  • Trockenätzprozess
  • Hohes Aspektverhältnis (tiefe Gräben)
  • Anisotropes Ätzergebnis
  • Vertikale Wände und durchätzen möglich
  • Unabhängig von Waferorientierung
  • Alternierendes einleiten von Ätzgasen
    • SF6 für Ätzen
    • C4F8 für Passivierung (Abscheidung einer Teflon ähnlichen Schicht)

Diskussion