DigitalTechnik

  1. Wie ist ein Feldeffekttransistor (FET) physikalisch aufgebaut?
  2. Was passiert, wenn eine Steuerspannung VG am Gate angelegt wird?
  3. Wie beeinflusst VG den Widerstand zwischen Source und Drain (RSD)?
  4. Warum ist der Feldeffekt in Metallen nicht technisch nutzbar?
  5. Warum sind Halbleiter für den Feldeffekt geeignet?


  1. Er besteht aus zwei metallischen Streifen mit einer dünnen isolierenden Schicht dazwischen, die einen Plattenkondensator bilden.
  2. Der Kondensator lädt sich auf und erzeugt eine Ladung Q=C⋅VG auf den Platten.
  3. Die Spannung beeinflusst die Menge der freien Ladungsträger, was den Widerstand RSD steuert.
  4. Metalle haben bereits sehr viele freie Ladungsträger (≈10221022 pro cm³), daher ist die durch VG erzeugte zusätzliche Ladung vernachlässigbar.
  5. Halbleiter haben eine viel geringere Konzentration freier Ladungsträger (≈1013 pro cm³), sodass eine Spannung VG den Ladungsträgeranteil erheblich beeinflussen kann.Uploaded in iOS

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